Химия - Полупроводники







Полупроводник - Полупроводники - 01 марта 2011

В зависимости от того, отдаёт ли примесной атом электрон или захватывает его, примесные атомы называют донорными или акцепторными. Характер примеси может меняться в зависимости от того, какой атом кристаллической... Просмотров: 7043



Антимонид галлия - Полупроводники - 01 марта 2011

Галлия антимонид устойчив на воздухе и в воде, медленно взаимодействует с минеральными кислотами и концентрированными растворами щелочей. Прямозонный полупроводник группы AB с шириной запрещённой зоны 0.726 эВ при 300 K.... Просмотров: 1373



Антимонид индия - Полупроводники - 01 марта 2011

Сурмяносодержащий слой между двумя слоями алюминий-индий антимонида может выступать в качестве квантовой ямы. Этот подход изучен для того, чтобы создавать очень быстрые транзисторы. Биполярные транзисторы,... Просмотров: 2547



Арсенид галлия - Полупроводники - 01 марта 2011

По физическим характеристикам GaAs — более хрупкий и менее теплопроводный материал, чем кремний. Подложки из арсенида галлия гораздо сложнее для изготовления и примерно впятеро дороже, чем кремниевые, что ограничивает ... Просмотров: 2963



Квантовая яма - Полупроводники - 01 марта 2011

Добавляя донорную примесь можно получить двумерный электронный газ, обладающий интересными свойствами при низкой температуре. Одним из таких свойств является квантовый эффект Холла, наблюдаемый в сильных магнитных... Просмотров: 1412



Магнитные полупроводники - Полупроводники - 01 марта 2011

Магнитные полупроводники — материалы проявляющие как свойства ферромагнетиков, так и свойства полупроводников. Изменяя магнитное поле мы можем изменять проводимость материала. Также существует возможность... Просмотров: 1520



Муассанит - Полупроводники - 01 марта 2011

Тугоплавок, химически стоек, по твёрдости уступает лишь алмазу и нитриду бора — боразону. Используется как абразивный материал и для изготовления деталей химической и металлургической аппаратуры, работающей в... Просмотров: 2096



Нитрид алюминия - Полупроводники - 01 марта 2011

Нитрид алюминия — материал с ковалентными связями, имеющий гексагональную кристаллическую структуру, которая является аналогом структуры сульфида цинка, известной как вюрцит. Пространственная группа симметрии... Просмотров: 1953



Нитрид галлия - Полупроводники - 01 марта 2011

Является важным прямозонным полупроводником с шириной запрещённой зоны 3.39 эВ при 300 K. Нитрид галлия очень тяжелый, механически стабильный материал с большой теплоемкостью. В чистом виде он способен противостоять... Просмотров: 2473



Оксид кадмия - Полупроводники - 01 марта 2011

Так как соединения кадмия часто находят в цинковых рудах, то оксид кадмия преимущественно является побочным продуктом производства цинка. Его можно получить, прокаливая кадмий на воздухе. Пиролиз более сложных... Просмотров: 1547



Органические полупроводники - Полупроводники - 01 марта 2011

Существует несколько особенностей органических полупроводников, которые определяются молекулярным характером их структуры и слабым межмолекулярным взаимодействием:... Просмотров: 1835



Пористый кремний - Полупроводники - 01 марта 2011

При определённых условиях в присутствии окислителя пористый кремний имеет тенденцию к воспламенению и детонации при механических, электрических, термических воздействиях. Этот эффект впервые был отмечен в 1992 Мак... Просмотров: 5895



Рулонная технология - Полупроводники - 01 марта 2011

Рулонная технология находится пока ещё в стадии разработки. Если полупроводниковые приборы можно будет изготавливать по такой технологии на подложках большого размера, то стоимость производства многих устройств... Просмотров: 1413



Сульфид кадмия - Полупроводники - 01 марта 2011

Сульфид кадмия является широкозонным полупроводником с шириной запрещённой зоны 2,42 эВ при 300 K. Это свойство CdS, полезное в оптоэлектронике, используется как в фоточувствительных, так и в фотогальванических... Просмотров: 1433



Сульфид свинца(II) - Полупроводники - 15 июля 2011

Сульфид свинца — неорганическое химическое соединение свинца и серы, представляющее собой кристаллическое соединение с окраской от сине-серого до серебристо-серой. Взаимодействием расплавов или паров свинца с... Просмотров: 3332



Сульфид цинка - Полупроводники - 01 марта 2011

Сульфид цинка может быть получен пропусканием сероводорода через растворы солей цинка. Сульфид цинка может быть получен при воздействии ударных волн на смесь порошков цинка и серы.... Просмотров: 2360



Magnum Semiconductor - Полупроводниковые компании - 07 июня 2011

Продукцию Magnum, предназначенную для потребительского рынка, можно найти в устройствах видеозаписи, выпускаемых ведущими производителями потребительской электроники, и продаваемыми в большом количестве розничных... Просмотров: 1493



NXP Semiconductors - Полупроводниковые компании - 04 июня 2011

NXP Semiconductors N.V. поставляет решения на основе высокопроизводительных смешанных цифро-аналоговых и стандартных полупроводниковых компонентов, в которых воплощен лидирующий на рынке опыт разработок компании в области... Просмотров: 1403



Запорожский титано-магниевый комбинат - Полупроводниковые компании - 01 марта 2011

В течение многих лет на комбинате работали Центральная научно-исследовательская лаборатория титана и магния, и ЦНИЛ полупроводников. На комбинате защитили диссертации и стали кандидатами наук более 70 работников.... Просмотров: 1720



SMIF - Технология полупроводников - 15 июля 2011

Контейнеры имеют идентификационные элементы. Их корпус изготовлен из пластика. Для транспортировки контейнеров могут применяться люди или роботизированные системы Технология разработана в 1980-е годы в Hewlett-Packard,... Просмотров: 1580



Зонная плавка - Технология полупроводников - 01 марта 2011

Метод обладает рядом недостатков. Основной недостаток — невозможность масштабирования, так как скорость процесса определяется скоростью диффузии примеси. Поэтому метод применяется для конечной стадии очистки... Просмотров: 2006



Зонное выравнивание - Технология полупроводников - 01 марта 2011

Методом зонного выравнивания можно получить монокристаллы германия с примесью сурьмы, различающиеся удельным сопротивлением менее 10% на половине длины слитка и имеющие малую концентрацию дислокаций.... Просмотров: 944



Ионная имплантация - Технология полупроводников - 01 марта 2011

Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии. способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки его поверхности пучком ионов c... Просмотров: 3085



Литография - Технология полупроводников - 01 марта 2011

Способ печати, при котором краска под давлением переносится с плоской печатной формы на бумагу. В основе литографии лежит физико-химический принцип, подразумевающий получение оттиска с совершенно гладкой... Просмотров: 2854



Метод Чохральского - Технология полупроводников - 01 марта 2011

В иностранной литературе для обозначения материалов, полученных методом Чохральского, а также для самого технологического процесса и оборудования, используемого для выращивания слитков этим методом, используется... Просмотров: 4758



Модель Дила-Гроува - Технология полупроводников - 01 марта 2011

Принимается, что каждая из стадий протекает со скоростью, пропорциональной концентрации окислителя. На первом этапе действует Закон Генри, на втором - закон Фика для диффузии, скорость на третьем этапе определяется... Просмотров: 2889



Планарная технология - Технология полупроводников - 01 марта 2011

Для контроля качества выполнения промежуточных операций на подложке, как правило, выделяют несколько малых областей, на которых в ходе штатного технологического процесса формируются тестовые проводящие дорожки и... Просмотров: 2473



Подложка - Технология полупроводников - 01 марта 2011

При выращивании кристаллов большое значение имеют условия сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание ... Просмотров: 1076



Полупроводниковая пластина - Технология полупроводников - 01 марта 2011

После создания необходимой полупроводниковой структуры пластину разрезают на отдельные кристаллы. Промышленный выпуск полупроводниковых пластин имеет существенное значение для производства интегральных... Просмотров: 1107



Словарь терминов физики полупроводников - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Безызлучательная рекомбинация — рекомбинация без испускания квантов света. Передача энергии электронно-дырочной пары происходит либо колебаниям решетки, либо третьей частице. Адиабатичекое приближение —... Просмотров: 3001



N-МОП - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Существуют и иные разновидности МОП-транзисторов. В частности с диодами Шоттки — обычно это МеП. ЛИЗМОП с «плавающим» затвором без вывода. В нём затвор представляет собой диэлектрик, который состоит из молибдена... Просмотров: 1536



Акцептор (физика полупроводников) - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Обычно эффективные массы дырок малы в сравнении с массой свободного электрона. Кроме того полупроводники имеют достаточно большие значения диэлектрической проницаемости, так что энергия акцептора примерно в 100—1000... Просмотров: 1243



Валентная зона - Физика полупроводников - 01 марта 2011

В полупроводниках при T=0 валентная зона заполнена электронами целиком, и электроны не дают вклада в электропроводность и другие кинетические эффекты, вызываемые внешними полями. При T>0 К происходит тепловая... Просмотров: 1059



Вырожденный полупроводник - Физика полупроводников - 01 марта 2011

В скомпенсованном полупроводнике, несмотря на большую концентрацию примесей, уровень химического потенциала остаётся внутри запрещённой зоны и вырождения не наблюдается.... Просмотров: 1497



Гетеропереход - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Модулированно-легированные гетероструктуры используют для получения двумерного электронного газа с высокой подвижностью, который необходим для исследований дробного квантового эффекта Холла, а также для создания... Просмотров: 1118



Гетероструктура - Физика полупроводников - 28 февраля 2011

В рамках развития нанотехнологий в России ведётся активное развитие производств, связанных с гетероструктурами, а именно производство солнечных батарей и светодиодов.... Просмотров: 1619



Двумерный электронный газ - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Важнейшая характеристика ДЭГ — подвижность электронов. Для увеличения подвижности в гетероструктуре с ДЭГ используют нелегированную прослойку материала, называемую спейсером, чтобы разнести пространственно... Просмотров: 2023



Донор (физика) - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Благодаря тому обстоятельству, что эффективные массы электронов в полупроводниках малы, а диэлектрические проницаемости довольно большие, энергия донорных уровней мала, а радиусы локализации соответствующих... Просмотров: 1406



Дырка - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Для создания дырок в полупроводниках используется легирование кристаллов акцепторными примесями. Кроме того, дырки могут возникать и в результате внешних воздействий: теплового возбуждения электронов из валентной... Просмотров: 1883



Зонная теория - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Нахождение собственных функций и значений уравнения Шредингера по сути складывается из двух частей. Первая часть - это определение периодического потенциала, вторая сводится к решению уравнения при данном... Просмотров: 2422



Инжекция - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Особенностью явления инжекции в гетеропереходах является возможность наблюдения явления сверхинжекции, при котором концентрация инжектированных носителей может превышать концентрацию легирующих примесей в... Просмотров: 1151



Квазиуровень Ферми - Физика полупроводников - 01 марта 2011

В термодинамически неравновесной системе заполнение энергетических уровней электронами и дырками меняется. Учитывая то, что время релаксации электронов в подзонах зоны проводимости значительно меньше чем их время... Просмотров: 1581



Компенсированный полупроводник - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Для получения малой проводимости необходимо сместить уровень химического потенциала внутрь запрещённой зоны. Этого можно достичь, добавляя акцепторы к исходному полупроводнику n-типа, или доноров к полупроводнику... Просмотров: 1368



МОП-структура - Физика полупроводников - 28 февраля 2011

Некоторые виды мощных переключательных транзисторов снабжаются специальным отводом от части канала с целью контроля тока через транзистор. Такой прием позволяет избежать дополнительных потерь на внешних... Просмотров: 1893



Наноэлектроника - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Однако принципиально новая особенность наноэлектроники связана с тем, что для элементов таких размеров начинают преобладать квантовые эффекты. Появляется новая номенклатура свойств, открываются новые заманчивые... Просмотров: 2738



Носители заряда - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Концентрация равновесных носителей заряда в полупроводнике определяется только температурой образца и концентрацией легирующих примесей. Под действием внешних воздействий в полупроводнике возникают... Просмотров: 1455



Обратный затвор (электроника) - Физика полупроводников - 01 марта 2011

В МДП-транзисторах четвертый электрод имеет название «подложка». Следует различать дискретные МДП-транзисторы, в которых электрод подложки работает наравне с другими электродами, и интегральные схемы на... Просмотров: 1130



Оже-рекомбинация - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Оже-рекомбинация существенна при высокой плотности носителей заряда в полупроводнике, поскольку требует столкновения трёх квазичастиц. Одновременная высокая концентрация электронов проводимости и дырок возможна... Просмотров: 1604



Полупроводник n-типа - Физика полупроводников - 01 марта 2011

Число электронов в зоне проводимости зависит от концентрации доноров, энергии донорных уровней, ширины запрещенной зоны полупроводника, температуры, эффективной плотности уровней в зоне проводимости. Для того, чтобы ... Просмотров: 994








Полупроводниковые материалы
Работа выхода
Сверхрешётка
Сильное легирование
Собственный полупроводник
Уравнение Дирака для графена
Фотопроводимость
Циклотронный резонанс
Экситон
Эффект Ганна
Эффект Рашбы
Газофазная эпитаксия
Жидкофазная эпитаксия
Молекулярно-пучковая эпитаксия
Эпитаксия
IGBT
Pin диод
Варистор
Квантовый каскадный лазер
ЛИЗМОП
Оптрон
Осциллистор
ПЗС
Полупроводниковый лазер
Полупроводниковый резистор
Резисторная оптопара
Симистор
Солнечная батарея
Термистор
Тестовая структура
Транзисторно-транзисторная логика
Фоторезистор
Фотоэлемент
Электролюминесцентный излучатель


Петербургский химический форум 2012