Химия - Допирование - Допирующие элементы

01 марта 2011


Оглавление:
1. Допирование
2. История
3. Допирующие элементы

Полупроводники IV группы

Что касается подгруппы углерода полупроводники такие как кремний, германий и карбид кремния, то обычно в качестве допантов являются акцепторы из подгруппы бора или доноры из подгруппы азота. Бор, мышьяк, фосфор, и иногда галлий используется для допирования кремния. Бор допант p-типа выбирают для производства кремниевых интегрированных электронных устройств, поскольку он проникает в соотношении при котором глубина перехода легко контролируется. Фосфор обычно используется для массового допирования кремниевых дисковых подложек, тогда как мышьяк используется для диффузии переходов, поскольку он проникает более медленно и они является более контролируемыми.

При допировании обогащенного кремния элементами из подгруппы азота такими как фосфор валентные электроны добавляются так что становятся не привязанными к конкретным атомам и позволяют структуре быть электрически проводящей n-типа. Допирование элементами из подгруппы бора у которых отсутствует четвертый валентный электрон, образуют «разорванные цепи» в кремниевой решетке причем свободные для перемещения. В результате электрическая проводимость становится p-типа. В таком контексте элементы подгруппы азота называют донорами, а про элементы из подгруппы бора говорят акцепторы. Это лежит в основе концепции физики диода

Очень тяжело допированные полупроводники становятся много похожи на проводящие и проявляют линейный положительный тепловой коэффициент. Такой эффект используется в элементе терморезистор. Низкие дозы допирования используются в других типах термисторов с позитивными и негативными ТКС.

Просмотров: 7033

<<< ДНК-машина

Дрекслер, Эрик >>>