Химия - Фотолитография в глубоком ультрафиолете

28 февраля 2011


Оглавление:
1. Фотолитография в глубоком ультрафиолете
2. Экспериментальные установки



Схема работы литографии в EUV.

Фотолитография в глубоком ультрафиолете — вид фотолитографии в наноэлектронике. Считается одним из вариантов фотолитография следующего поколения . Использует свет экстремального  ультрафиолетового диапазона с длиной волны около 13,5 нм.

Источники света

В качестве мощных источников света в ЭУФ диапазоне могут использоваться синхротроны или плазма, разогреваемая импульсом лазера или электрическим разрядом.

Оптика для EUVL

В отличие от используемой ныне литографии на дальнем ультрафиолете, EUV требует использования вакуума. В качестве оптики используются не линзы, а многослойные зеркала, с отражением на основе межслойной интерференции. Маска также выполняется в виде отражающего элемента, а не просвечивающего, как в настоящее время. При каждом отражении зеркалом и маской поглощается значительная часть энергии луча, около 1/3. При использовании 7 зеркал будет поглощено около 94 % мощности луча, а значит EUL требует мощных источников.



Просмотров: 2471


<<< Утилитарный туман
Фрайтас, Роберт >>>