Химия - Графеновый полевой транзистор - Затвор
28 февраля 2011Оглавление:
1. Графеновый полевой транзистор
2. Графеновые наноленты
3. Затвор
4. Эпитаксиальный графен
Первый прибор с затвором был продемонстрирован в работе, где авторы использовали стандартную электронную литографию. Металлический затвор покоился на тонком слое диэлектрика. Качество прибора заметно ухудшилось благодаря дополнительному рассеянию носителей в графене, но авторы наблюдали более слабую модуляцию проводимости при приложении напряжения к затвору, чем в случае с обратным затвором. Несмотря на гораздо более пологую зависимость сопротивления от приложенного затворного напряжения, эта работа показала, что обычные методы электронной литографии можно применять и в случае графена.
Альтернативные подходы
На данный момент существуют несколько подходов к созданию полевых транзисторов на основе графена. Среди них можно выделить экспериментально реализованный транзистор на основе кулоновской блокады и использование нового эффекта предсказанного в работе.
Кулоновская блокада
На основе графена возможно построить квантовую точку, в которой при достаточно малых размерах можно наблюдать кулоновскую блокаду.
Баллистический транспорт и электронные линзы Веселаго
В работе показано, что p—n-переход может служить эффективным средством фокусировки баллистических электронов.
Двухслойный графен
Двухслойная плёнка графена обладает не линейным, а параболическим законом дисперсии с нулевой энергетической щелью.
Влияние подложки
Графен, помещённый на подложку BN, обладает спектром носителей с конечной массой.
Просмотров: 3926
|
|