Химия - Ионная имплантация - Применение в электронной промышленности

28 февраля 2011


Оглавление:
1. Ионная имплантация
2. Принцип работы
3. Применение в электронной промышленности
4. Применение в металлургии
5. Производители оборудования для ионной имплантации

Легирование полупроводников

Ионное легирование широко используется при создании БИС и СБИС. По сравнению с диффузией оно позволяет создавать слои с субмикронными горизонтальными размерами толщиной менее 0,1 мкм с высокой воспроизводимостью параметров.

Ионы элементов, используемых обычно для создания примесной проводимости, внедряясь в кристалл полупроводника занимают в его решетке положение атомов замещения и создают соответствующий тип проводимости. Внедряя ионы III и V групп в монокристалл кремния, можно получить p-n переход в любом месте и на любой площади кристалла.

Возможность легирования полупроводников из газовой фазы бором, фосфором, арсенидом является важнейшей особенностью ионной имплантации. Такой процесс легирования считается одним из наиболее чистых методов легирования. Имплантированый ион создает в полупроводнике заряд, меняя при этом его проводимость, что позволяет создать на поверхности кремния, например, изолирующую поверхность. Имплантированные ионы кислорода окисляют кремний превращающих его в окись кремния, являющегося прекрасным изолятором.). Этот процесс называется SIMOX

Мезотаксия

Мезотаксия — это процесс похожий на эпитаксию. В мезотаксии рост фазо-согласованной гетероструктуры происходит с поверхности внутрь полупроводника, путем имплантации ионов и выбором нужной температуры.

Другие применения

Для получения фуллеренов и нанотрубок, заполненных проводящим или сверхпроводящим материалом может применяться ионная имплантация частиц в наноструктуры углерода.

Просмотров: 5836

<<< Зонное выравнивание

Литография >>>