Химия - Кремний на изоляторе

28 февраля 2011


Оглавление:
1. Кремний на изоляторе
2. Конструктивное исполнение
3. Технология изготовления
4. Использование в технике



Схема КНИ-подложки

Кремний на изоляторе — технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин. Данная технология позволяет добиться существенного повышения быстродействия микроэлектронных схем при одновременном снижении потребляемой мощности и габаритных размеров. Так, например, максимальная частота переключения транзисторов, выполненных по технологическому процессу 130 нм, может достигать 200 ГГц . В перспективе, при переходе к технологическим процессам с меньшим размером активных элементов, возможно ещё большее повышение этого показателя. Кроме собственно наименования технологии, термин «кремний на изоляторе» также часто употребляется в качестве названия поверхностного слоя кремния в КНИ-структуре.



Просмотров: 3405


<<< Бестигельная зонная плавка
Кристаллический кремний >>>