Химия - N-МОП

01 марта 2011
Эвлк стоимость в москве лазерное лечение варикоза эвлк.

МОП — один из видов полевого транзистора.

Полевые транзисторы создавались для преодоления недостатков обычных биполярных транзисторов и особенно преодоления частоты в 100 МГц. Но из-за слишком простой конструкции МОП-транзистор работает очень медленно. Особенно это касается p-МОП схем, где носителем заряда являются малоподвижные дырки.

МОП-транзистор часто называют электронным аналогом лампового триода. Своим электрическим полем он индуцирует переход как в обычном биполярном транзисторе. При этом появляется переход, по которому течёт ток. При изменении полярности на затворе переход исчезает, ток не проходит.

Логический МОП-элемент представляет собой два транзистора n-МОП или p-МОП с резисторами смещения. В зависимости от напряжения на входе включается либо первый, либо второй транзистор, при этом на выход поступает либо напряжение питания, либо корпус. Для повышения степени интеграции и экономичности в ходе усовершенствований удалось избавиться от «ненужных» резисторов.

МОП-транзисторы занимают на кристалле микросхемы в 6-9 раз меньшую площадь, чем транзисторы, используемые в ТТЛ за счёт отсутствия изолятора на подложке. Это позволило добиться высокой степени интеграции и создать микропроцессоры. Например: для создания статического или отдельного изодинамического триггера нужно 6 транзисторов, но на кристалле они занимают меньшую площадь, чем два биполярных транзистора обычного триггера. Мощность потребления у МОП-транзисторов очень мала, что позволяет делать на их основе часы, калькуляторы и др. устройства, требующие экономичности. n-МОП схемы применяются чаще из-за большей простоты изготовления и чуть большего быстродействия.

Существуют и иные разновидности МОП-транзисторов. В частности с диодами Шоттки — обычно это МеП. ЛИЗМОП с «плавающим» затвором без вывода. В нём затвор представляет собой диэлектрик, который состоит из молибдена или поликремния. При инжекции заряда информация запоминается. Для стирания используется облучение ультрафиолетом. Аналогично устроена и Flash-память, но там затворы тоньше для возможности «вытягивания» заряда в подложку. Для поблочной адресации и для исключения возможности повреждения транзисторов при стирании данная память часто имеет встроенные цепи программирования/стирания/управления. МНОП — транзистор с двойным затвором и двойным изолятором из нитридного и оксидного слоёв. В процессе заряда ток проходит через оксид, но не проходит через нитрид, что позволяет сохранять информацию. Второй затвор сверху позволяет электрически стирать информацию в таком транзисторе. Применялись они до появления Flash-памяти. Другие виды транзисторов не рассматриваются из-за их малой распространённости.

Преимущества МОП: высокая экономичность, высокая плотность размещения на кристалле, низкая стоимость.

Недостатки: низкое быстродействие.

Просмотров: 2476

<<< Словарь терминов физики полупроводников