Химия - Одноэлектронный транзистор

01 марта 2011


Оглавление:
1. Одноэлектронный транзистор
2. Устройство
3. Направления исследований



Рис.1. Схема одноэлектронного транзистора.
Рис. 2. Энергетические уровни истока, проводящего канала и стока в одноэлектронном транзисторе для закрытого и проводящего состояний.
Одноэлектронный транзистор с подводящими контактами из ниобия и алюминиевым островом.

Одноэлектронный транзистор) — транзистор, в основе концепции которого лежит возможность получения заметных изменений напряжения при манипуляции с отдельными электронами. Такая возможность имеется, в частности, благодаря явлению кулоновской блокады.

История

Впервые о возможности создания одноэлектронных транзисторов на основе кулоновской блокады сообщили в 1986 г. российские учёные К. К. Лихарев и Д. В. Аверин. В 1996 г. российские учёные С. П. Губин, В. В. Колесов, Е. С. Солдатов, А. С. Трифонов, В. В. Ханин, Г. Б. Хомутов, С. А. Яковенко впервые в мире создали одноэлектронный молекулярный нанокластерный транзистор, работающий при комнатной температуре.



Просмотров: 2713


<<< Объектно-ориентированное сканирование
ООСЗМ >>>