Химия - Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы - Исходные вещества

28 февраля 2011


Оглавление:
1. Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы
2. Исходные вещества
3. См.также

Список химических соединений, используемых в качестве источников для роста полупроводников методом MOCVD:

• Алюминий
  • Триметил алюминия CAS 75-24-1 Al₃
  • Триэтил алюминия CAS 97-93-8 Al₃

• Галлий
  • Триметил галлия Ga₃
  • Триэтил галлия Ga₃
  • Триизопропил галлия Ga₃

• Индий
  • Триметил индия In₃
  • Триэтил индия In₃

• Азот
  • Фенилгидразин
  • Диметилгидразин
  • Аммиак NH₃

• Фосфор
  • Фосфин PH₃

• Мышьяк
  • Арсин AsH₃
  • Фениларсин

• Сурьма
  • Триметил сурьмы
  • Триэтил сурьмы
  • Стибин SbH₃

• Кадмий
  • Диметил кадмия

• Теллур
  • Диметил теллура
  • Диэтил теллура
  • Диизопропил теллура

• Кремний
  • Моносилан SiH₄
  • Дисилан Si₂H₆

• Цинк
  • Диэтилцинк Zn₂

Полупроводники, выращиваемые с помощью MOCVD

III—V Полупроводники

• Арсенид галлия
• Фосфид индия
• InGaAs
• InAlAs
• InGaAlAs
• InGaAsP
• InGaAsN
• AlGaAs
• InGaAs
• AlGaP
• InGaP
• InAlP
• InAlP
• Нитрид галлия
• InGaN
• InGaAlN
• Антимонид индия

II—VI Полупроводники

• Селенид цинка
• КРТ

Просмотров: 3441

<<< Опреснение воды

Отбеливание >>>