Химия - Принц-технология

01 марта 2011


Оглавление:
1. Принц-технология
2. Применения



Принц-технология — метод формирования трёхмерных микро- и наноструктур, основанный на отделении напряжённых полупроводниковых плёнок от подложки и последующего сворачивания их в пространственный объект. Технология названа в честь учёного работающего в Институте физики полупроводников СО РАН Виктора Яковлевича Принца, предложившего этот метод в 1995 году .

Основы

В простейшем исполнении для демонстрации возможности формирования трёхмерных структур использовались выращенные на подложке арсенида галлия напряжённые двухслойные плёнки, выращенные при помощи метода молекулярно — пучковой эпитаксии. Тонкая плёнка напряжена поскольку постоянная решётки ненапряжённого слоя тройного соединения InGaAs больше, чем у GaAs и при отделении от подложки она стремится распрямиться, что создаёт закручивающий момент и приводит в итоге к сворачиванию плёнки. Для отделения биплёнки, используется селективный жидкостный травитель, который удаляет жертвенный слой AlAs, не затрагивая другие соединения . При сворачивании получается рулон, который может состоять из многих десятков витков. При использовании монослоёв веществ типа GaAs/InAs можно получить полупроводниковые нанотрубки диаметром до 2 нм, которые, в отличие от углеродных нанотрубок, могут быть сформированы в определённых местах на подложке и с заданными диаметрами с помощью литографии. Эти свободные двухслойные плёнки состоящие из двух атомных слоёв различных материалов обладают совершенной атомарной структурой, изначально присущей плоской плёнке на поверхности подложки.



Просмотров: 2882


<<< Получение графена
Реакция Прато >>>