Химия - Сфокусированный ионный пучок

01 марта 2011


Оглавление:
1. Сфокусированный ионный пучок
2. Принцип действия
3. Устройство



Сфокусированный ионный пучок) — широко используемая методика в материаловедении для локального анализа, напыления и травления материалов. Установка для ионного травления напоминает растровый электронный микроскоп. В электронном микроскопе используется пучок электронов, тогда как в СИП применяют более тяжелые частицы — ионы. Бывают установки, использующие оба вида пучков. Не следует путать СИП с устройством для литографии, где также используется ионный пучок, но слабой интенсивности, а в травлении основным является свойства самого резиста.

Фотография СИП-установки

Источник ионов

Самыми распространенными источниками ионов являются так называемые жидко-металлические, в которых используется галлий. Температура плавления галлия равна ~ 30 °C.

Кроме галлия в источниках используются также золото и иридий. В галлиевом источнике нагретый металл соприкасается с вольфрамовой иглой. Галлий смачивает вольфрам, а большое электрическое поле вызывает ионизацию и эмиссию ионов галлия. Затем ионы ускоряются напряжением от 5-50 кэВ и фокусируются на образец с помощью электростатической линзы. В современных установках ток достигает десятки наноампер, который фокусируется в пятно в несколько нанометров.



Просмотров: 3942


<<< Темнопольная оптическая микроскопия