Химия - Фотолитография в глубоком ультрафиолете
01 марта 2011Оглавление:
1. Фотолитография в глубоком ультрафиолете
2. Экспериментальные установки
Фотолитография в глубоком ультрафиолете вид фотолитографии в наноэлектронике. Считается одним из вариантов фотолитография следующего поколения . Использует свет экстремального ультрафиолетового диапазона с длиной волны около 13,5 нм.
Источники света
В качестве мощных источников света в ЭУФ диапазоне могут использоваться синхротроны или плазма, разогреваемая импульсом лазера или электрическим разрядом.
Оптика для EUVL
В отличие от используемой ныне литографии на дальнем ультрафиолете, EUV требует использования вакуума. В качестве оптики используются не линзы, а многослойные зеркала, с отражением на основе межслойной интерференции. Маска также выполняется в виде отражающего элемента, а не просвечивающего, как в настоящее время. При каждом отражении зеркалом и маской поглощается значительная часть энергии луча, около 1/3. При использовании 7 зеркал будет поглощено около 94 % мощности луча, а значит EUL требует мощных источников.
Просмотров: 3102
|