Химия - Газофазная эпитаксия

28 февраля 2011


Оглавление:
1. Газофазная эпитаксия
2. Хлоридный метод
3. Силановый метод



получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро-газовой фазы. Наиболее часто применяется в технологии кремниевых, германиевых и арсенид-галлиевых полупроводниковых приборов и интегральных схем,.

Процесс проводится при атмосферном или пониженном давлении в специальных реакторах вертикального или горизонтального типа. Реакция идёт на поверхности подложек, нагретых до 750 - 1200 °C. Разогрев подложек осуществляется инфракрасным излучением, индукционным или резистивным способом. Понижение температуры процесса ниже предельной для данных конкретных условий осаждения ведет к формированию поликристаллического слоя. С другой стороны, оно дает возможность снизить ширину диффузионной переходной области между эпитаксиальным слоем и подложкой, наличие которой ухудшает характеристики получаемых приборов.

Существуют два основных способа получения эпитаксиальных слоев кремния методом газофазной эпитаксии:

  • водородное восстановление тетрахлорида кремния, трихлорсилана или дихлорсилана;
  • пиролитическое разложение моносилана


Просмотров: 4196


<<< Хлорпирифос
Жидкофазная эпитаксия >>>