Химия - Газофазная эпитаксия - Хлоридный метод

28 февраля 2011


Оглавление:
1. Газофазная эпитаксия
2. Хлоридный метод
3. Силановый метод

При использовании в качестве источника тетрахлорида кремния суммарная реакция может быть записана в виде:

SiCl₄+2H₂=Si+4HCl

Реакция обратимая, и при повышении температуры и/или концентрации хлорида начинает идти в обратную сторону. Реакции восстановления трихлорсилана и дихлорсилана являются промежуточными в реакции водородного восстановления тетрахлорида кремния. Поэтому их применение в качестве источников кремния позволяет повысить технико-экономические показатели процесса. В то же время при выборе источника учитывают специфику применяемых веществ. Трихлорсилан и тетрахлорид кремния при комнатной температуре являются жидкими, а дихлорсилан - газообразным. Тетрахлорид кремния является менее опасным при хранении и транспортировке, поэтому трихлорсилан обычно используют при наличии его собственного производства.

В целом процесс водородного восстановления тетрахлорида кремния может быть описан следующей системой реакций,:

• SiCl₄ + H₂ <--> SiHCl₃ + HCl;
• SiHCl₃ + H₂ <--> SiH₂Cl₂ + HCl;
• SiH₂Cl₂ <--> SiCl₂ + H₂;
• SiHCl₃ <--> SiCl₂ + HCl;
• SiCl₂ + H₂ <--> Si + 2HCl

Скорость роста слоя — 0,1-2,0 мкм/мин в зависимости от источника кремния, температуры и давления. Она пропорциональна концентрации кремнийсодержащего компонента в парогазовой фазе.

Ограничения метода: невозможно наращивать эпитаксиальную плёнку на сапфировых подложках, поскольку хлористый водород при этих условиях травит сапфир.

Просмотров: 4377

<<< Хлорпирифос

Жидкофазная эпитаксия >>>