Химия - IGBT - IGBT

22 июля 2011


Оглавление:
1. IGBT
2. IGBT
3. Применение



Структура IGBT-транзистора.

Данный тип приборов создан в начале 1980-х гг, запатентован International Rectifier в 1983. Первые IGBT не получили распространения из-за врождённых пороков — медленного переключения и низкой надёжности. Второе и третье поколения IGBT в целом избавились от этих пороков. IGBT сочетает достоинства двух основных видов транзисторов:

  • высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности — от транзисторов с изолированным затвором
  • низкое значение остаточного напряжения во включенном состоянии — от биполярных транзисторов.

Диапазон использования — от десятков А до 1200 А по току, от сотен вольт до 10 кВ по напряжению. В диапазоне токов до десятков А и напряжений до 500 В целесообразно применение обычных МДП- транзисторов, а не IGBT, так как при низких напряжениях полевые транзисторы обладают малым сопротивлением.



Просмотров: 3732


<<< Эпитаксия
Pin диод >>>