Химия - Ионная имплантация

28 февраля 2011


Оглавление:
1. Ионная имплантация
2. Принцип работы
3. Применение в электронной промышленности
4. Применение в металлургии
5. Производители оборудования для ионной имплантации



Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии.

способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией.

Широко используется при создании полупроводниковых приборов методом планарной технологии. В этом качестве применяется для образования в приповерхностном слое полупроводника областей с содержанием донорных или акцепторных примесей с целью создания p-n-переходов и гетеропереходов, а так же низкоомных контактов.

Ионную имплантацию также применяют как метод легирования металлов для изменения их физических и химических свойств.

Ионная бомбардировка высокотемпературных сверхпроводников семейства RBa2Cu3Ox используется для создания центров пиннинга повышающих плотность критического тока.



Просмотров: 5447


<<< Зонное выравнивание
Литография >>>