Химия - Жидкофазная эпитаксия

Эпитаксия из жидкой фазы в основном применяется для получения многослойных полупроводниковых соединений, таких как GaAs, CdSnP2; также является основным способом получения монокристаллического кремния.

Готовится шихта из вещества наращиваемого слоя, легирующей примеси и металла-растворителя, имеющего низкую температуру плавления и хорошо растворяющий материал подложки. Процесс проводят в атмосфере азота и водорода или в вакууме. Расплав наносится на поверхность подложки, частично растворяя её и удаляя загрязнения и дефекты. После выдержки при максимальной температуре ≈1000С начинается медленное охлаждение. Расплав из насыщенного состояния переходит в пересыщенное и избытки полупроводника осаждаются на подложку, играющую роль затравки. Существуют три типа контейнеров для проведения эпитаксии из жидкой фазы: вращающийся, пенального типа, шиберного типа.

Ю.В.Панфилов "Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы"