Химия - ЛИЗМОП

ЛИЗМОП — полевой МОП-транзистор с лавинной инжекцией заряда, базовый элемент одного из вариантов энергонезависимых постоянных запоминающих устройств.

Конструкция транзистора была предложена Фроман-Бенчковским в 1971 году и отличается от обычного полевого транзистора наличием "плавающего затвора", т. е. проводящей области над каналом, которая изолирована от других частей структуры и на которой можно хранить электрический заряд. Изменение величины отрицательного заряда на плавающем затворе приводит к сдвигу вольт-амперной характеристики транзистора, что и используется для кодирования логических состояний 1 и 0. Для переноса электронов из подложки на плавающий затвор используется явление лавинного пробоя перехода исток--подложка, а для удаления электронов с плавающего затвора структура облучается ультрафиолетовым светом через специально создаваемое в микросхеме кварцевое окно, и фотовозбужденные электроны с плавающего затвора возвращаются в подложку. Существует два варианта конструкции транзистора, отличающиеся наличием или отсутствием обычного управляющего затвора.

Недостатком ЛИЗМОП-транзисторов является ограниченное число перезаписей информации и невозможность изменения информации в отдельно взятой ячейке памяти без стирания информации во всей микросхеме. Поэтому в 80-е годы ЛИЗМОП-структуры были вытеснены другими конструкциями энергонезависимой памяти, позволяющими стирать информацию чисто электрическим способом.