Химия - Метод Чохральского

01 марта 2011


Оглавление:
1. Метод Чохральского
2. История
3. Характеристики метода
4. Этапы метода
5. Модификации метода
6. Сравнение с другими методами

метод выращивания кристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма расплава с инициацией начала кристаллизации путём приведения затравочного кристалла заданной структуры и кристаллографической ориентации в контакт со свободной поверхностью расплава.

Может использоваться для выращивания кристаллов элементов и химических соединений, устойчивых при температурах плавления-кристаллизации. Метод наиболее известен применительно к выращиванию монокристаллического кремния.

За время промышленного использования были разработаны различные модификации метода Чохральского. Так, для выращивания профилированных кристаллов используется модификация метода Чохральского, называемая методом Степанова. Модификация наиболее известна применительно к выращиванию сапфира и кремния.

В иностранной литературе для обозначения материалов, полученных методом Чохральского, а также для самого технологического процесса и оборудования, используемого для выращивания слитков этим методом, используется аббревиатура «CZ». Например: англ. «CZ-puller» или нем. «Die Ofen fuer CZ-Kristallzuechtung» установка для выращивания материала методом Чохральского), «CZ-ingot» и т.д.

Просмотров: 7850

<<< Литография

Модель Дила-Гроува >>>