Химия - Молекулярно-пучковая эпитаксия

28 февраля 2011


Оглавление:
1. Молекулярно-пучковая эпитаксия
2. Устройство установки молекулярно-пучковой эпитаксии
3. Методы диагностики
4. Преимущества и недостатки метода

Молекулярно-пучковая эпитаксия или молекулярно-лучевая эпитаксия — эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума. Позволяет выращивать гетероструктуры заданной толщины с моноатомно гладкими гетерограницами и с заданным профилем легирования. В установках МПЭ имеется возможность исследовать качество плёнок «in situ». Для процесса эпитаксии необходимы специальные хорошо очищенные подложки с атомарногладкой поверхностью.

Технология молекулярно-пучковой эпитаксии была создана в конце 1960-х годов Дж. Р. Артуром и Альфредом Чо.

Технология

В основе метода лежит осаждение испаренного в молекулярном источнике вещества на кристаллическую подложку. Несмотря на достаточно простую идею, реализация данной технологии требует чрезвычайно сложных технических решений. Основные требования к установке эпитаксии следующие:

• В рабочей камере установки необходимо поддерживать сверхвысокий вакуум.
• Чистота испаряемых материалов должна достигать 99,999999 %.
• Необходим молекулярный источник, способный испарять тугоплавкие вещества с возможностью регулировки плотности потока вещества.

Особенностью эпитаксии является невысокая скорость роста пленки.

Просмотров: 5120

<<< Жидкофазная эпитаксия

Эпитаксия >>>