Химия - Молекулярно-пучковая эпитаксия

28 февраля 2011


Оглавление:
1. Молекулярно-пучковая эпитаксия
2. Устройство установки молекулярно-пучковой эпитаксии
3. Методы диагностики
4. Преимущества и недостатки метода



Система молекулярно-пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера и камера загрузки образцов, разделенные заслонкой-шибером.

Молекулярно-пучковая эпитаксия или молекулярно-лучевая эпитаксия — эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума. Позволяет выращивать гетероструктуры заданной толщины с моноатомно гладкими гетерограницами и с заданным профилем легирования. В установках МПЭ имеется возможность исследовать качество плёнок «in situ». Для процесса эпитаксии необходимы специальные хорошо очищенные подложки с атомарногладкой поверхностью.

Технология молекулярно-пучковой эпитаксии была создана в конце 1960-х годов Дж. Р. Артуром и Альфредом Чо.

Технология

В основе метода лежит осаждение испаренного в молекулярном источнике вещества на кристаллическую подложку. Несмотря на достаточно простую идею, реализация данной технологии требует чрезвычайно сложных технических решений. Основные требования к установке эпитаксии следующие:

  • В рабочей камере установки необходимо поддерживать сверхвысокий вакуум.
  • Чистота испаряемых материалов должна достигать 99,999999 %.
  • Необходим молекулярный источник, способный испарять тугоплавкие вещества с возможностью регулировки плотности потока вещества.

Особенностью эпитаксии является невысокая скорость роста пленки.



Просмотров: 4554


<<< Жидкофазная эпитаксия
Эпитаксия >>>