Химия - МОП-структура - Условные графические обозначения

01 марта 2011


Оглавление:
1. МОП-структура
2. Условные графические обозначения



IGFET P-Ch Enh Labelled.svg IGFET P-Ch Dep Labelled.svg P-канал
IGFET N-Ch Enh Labelled.svg IGFET N-Ch Dep Labelled.svg N-канал
индуцированный канал встроенный канал

Следует заметить что хотя формально разделение индуцированного и встроенного каналов предусмотрено на УГО, в реальности оно не соблюдается.

Особенности работы МОП транзисторов

MOSFET1.svg
Вольт-амперная характеристика изменения тока стока в зависимости от изменения напряжения на входе.

В униполярных транзисторах управляющим сигналом является разность потенциалов на участке затвор-исток.

I_c = I_u\,
I_3\to 0\,

При изменении входного напряжения, изменяется состояние транзистора и I_c\,

  1. Транзистор закрыт U_{3u} <  U_{nop}\,, I_c=0\,
  2. Крутой участок. U_{3u} >  U_{nop}\,
    I_c=K_n\,
    K_n\, — удельная крутизна транзистора.
  3. Дальнейшее увеличение U_{3u}\, приводит к переходу на пологий участок.
    I_c=\frac{K_n}{2}^2\, — Уравнение Ховстайна.


Просмотров: 3353


<<< Наноэлектроника