Химия - Нитрид галлия - Разработки

28 февраля 2011


Оглавление:
1. Нитрид галлия
2. Разработки
3. Синтез

Широко используется для создания светодиодов, полупроводниковых лазеров, сверхвысокочастотных транзисторов.

Кристаллический нитрид галлия высокого качества может быть получен при низкой температуре методом технологии осаждения слоя буфером. Высококачественный кристалл нитрида галлия привел к тому, что были открыты полупроводник p-типа данного соединения, p — n-переход голубых/УФ-светодиодов и эмиссия при комнатной температуре. Это привело к коммерциализации высокопроизводительных синих светодиодов и долгосрочной жизни фиолетово-лазерных диодов, а также дало развитие устройств на основе нитридов, таких как детекторы УФ и высокоскоростных полевых транзисторов.

Высокая яркость светодиодов из GaN завершила ряд эмиссии основных цветов — это позволило создать полноцветные светодиодные дисплеи.

Нитриды третьей группы признаны одними из самых перспективных материалов для изготовления оптических приборов в видимой коротковолновой и УФ-области. Потенциальные рынки для высокомощных/высокочастотных приборов на основе GaN включают в себя СВЧ и высоковольтные коммутационные устройства для электрических сетей. Большая ширина запрещенной зоны означает, что производительность транзисторов из нитрида галлия сохраняется вплоть до высоких температур, по сравнению с кремниевыми транзисторами. Первый нитрид галлия экспериментально показали в полупроводниковых полевых транзисторах в 1993 году; сейчас эта область активно развивается.

Просмотров: 4337

<<< Нитрид алюминия

Оксид кадмия >>>