Химия - Pin диод - Характеристики

01 марта 2011


Оглавление:
1. Pin диод
2. Характеристики
3. Применение

На низких частотах для pin-диода справедливы те же уравнения, что и для обычного. На высоких частотах pin-диод ведет себя как практически идеальный резистор — его вольт-амперная характеристика линейна даже для очень большого значения напряжения. На высоких частотах в i-области находится большое количество накопленного заряда, который позволяет диоду работать. На низких частотах заряд в i-области рекомбинирует и диод выключается.

Высокочастотное сопротивление обратно пропорционально постоянному току, протекающему через pin-диод. Таким образом, можно варьировать значение сопротивления в широких пределах — от 0.1 Ом до 10КОм — меняя постоянную составляющую тока.

Большая ширина i-области также означает, что pin-диод имеет небольшую ёмкость при обратном смещении.

Области пространственного заряда в pin-диоде практически полностью находятся в i-области. По сравнению с обычными, pin-диод имеет значительно большую ОПЗ, границы которой незначительно меняются в зависимости от приложенного обратного напряжения. Таким образом увеличивается объем полупроводника, где могут быть образованы электронно дырочные пары под воздействием излучения. Некоторые фотодетекторы, такие как pin-фотодиоды и фототранзисторы, используют pin-переход для реализации функции детектирования.

При проектировании pin-диода приходится искать компромисс: с одной стороны, увеличивая величину i-области можно добиться резистивного поведения диода на более низких частотах, но с другой стороны, при этом для рекомбинации заряда и перехода в закрытое состояние потребуется большее время. Поэтому как правило pin-диоды каждый раз проектируются под конкретное приложение.

Просмотров: 4789

<<< IGBT