Химия - Полупроводник - Список полупроводников

01 марта 2011


Оглавление:
1. Полупроводник
2. Механизм электрической проводимости полупроводников
3. Собственная плотность
4. Использование полупроводников в радиотехнике
5. Типы полупроводников в периодической системе элементов
6. Физические свойства и применение
7. Методы получения
8. Список полупроводников

Полупроводниковые соединения делят на несколько типов:

• простые полупроводниковые материалы — собственно химические элементы: бор B, углерод C, германий Ge, кремний Si, селен Se, сера S, сурьма Sb, теллур Te и йод I. Самостоятельное применение широко нашли германий, кремний и селен. Остальные чаще всего применяются в качестве легирующих добавок или в качестве компонентов сложных полупроводниковых материалов;
• в группу сложных полупроводниковых материалов входят химические соединения, обладающие полупроводниковыми свойствами и включающие в себя два, три и более химических элементов. Полупроводниковые материалы этой группы, состоящие из двух элементов, называют бинарными, и так же, как это принято в химии, имеют наименование того компонента, металлические свойства которого выражены слабее. Так, бинарные соединения, содержащие мышьяк, называют арсенидами, серу — сульфидами, теллур — теллуридами, углерод — карбидами. Сложные полупроводниковые материалы объединяют по номеру группы Периодической системы элементов Д. И. Менделеева, к которой принадлежат компоненты соединения, и обозначают буквами латинского алфавита. Например, бинарное соединение фосфид индия InP имеет обозначение AB

Широкое применние получили следующие соединения:

AB

• InSb, InAs, InP, GaSb, GaP, AlSb, GaN, InN

AB

• CdSb, ZnSb

AB

• ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdTe, HgSe, HgTe, HgS

AB

• PbS, PbSe, PbTe, SnTe, SnS, SnSe, GeS, GeSe

а также некоторые окислы свинца, олова, германия, кремния а также феррит, аморфные стёкла и многие другие соединения.

На основе большинства из приведённых бинарных соединений возможно получение их твёрдых растворов:_x1-x,_x1-x,_x1-x,_x1-x и других.

Соединения AB, в основном, применяются для изделий электронной техники, работающих на сверхвысоких частотах

Соединения AB используют в качестве люминофоров видимой области, светодиодов, датчиков Холла, модуляторов.

Соединения AB, AB и AB применяют при изготовлении источников и приёмников света, индикаторов и модуляторов излучений.

Окисные полупроводниковые соединения применяют для изготовления фотоэлементов, выпрямителей и сердечников высокочастотных индуктивностей.

Физические свойства соединений типа AB

Параметры	AlSb	GaSb	InSb	AlAs	GaAs	InAs
Температура плавления, К	1 333	998	798	1 873	1 553	1 218
Постоянная решётки, Å	6,14	6,09	6,47	5,66	5,69	6,06
Ширина запрещённой зоны ΔE, эВ	0,52	0,7	0,18	2,2	1,32	0,35
Диэлектрическая проницаемость ε	8,4	14,0	15,9	-	-	-
Подвижность, см²/:
электронов	50	5 000	60 000	-	4 000	3 400
дырок	150	1 000	4 000	-	400	460
Показатель преломления света, n	3,0	3,7	4,1	-	3,2	3,2
Линейный коэффициент теплового расширения, K	-	6,9·10	5,5·10	5,7·10	5,3·10	-

Группа IV

• собственные полупроводники
  • Кремний, Si
  • Германий, Ge
  • Серое олово, α-Sn

• составной полупроводник
  • Карбид кремния, SiC
  • Кремний-германий, SiGe

Группа III-V

• 2-х компонентные полупроводники
  • Антимонид алюминия, AlSb
  • Арсенид алюминия, AlAs
  • Нитрид алюминия, AlN
  • Фосфид алюминия, AlP
  • Нитрид бора, BN
  • Фосфид бора, BP
  • Арсенид бора, BAs
  • Антимонид галлия, GaSb
  • Арсенид галлия, GaAs
  • Нитрид галлия, GaN
  • Фосфид галлия, GaP
  • Антимонид индия, InSb
  • Арсенид индия, InAs
  • Нитрид индия, InN
  • фосфид индия, InP

• 3-х компонентные полупроводники
  • Al_xGa_1-xAs
  • InGaAs, In_xGa_1-xAs
  • InGaP
  • AlInAs
  • AlInSb
  • GaAsN
  • GaAsP
  • AlGaN
  • AlGaP
  • InGaN
  • InAsSb
  • InGaSb

• 4-х компонентные полупроводники
  • AlGaInP, InAlGaP, InGaAlP, AlInGaP
  • AlGaAsP
  • InGaAsP
  • AlInAsP
  • AlGaAsN
  • InGaAsN
  • InAlAsN
  • GaAsSbN

• 5-ти компонентные полупроводники
  • GaInNAsSb
  • GaInAsSbP

Группа II-VI

• 2-х компонентные полупроводники
  • Селенид кадмия, CdSe
  • Сульфид кадмия, CdS
  • Теллурид кадмия, CdTe
  • Оксид цинка, ZnO
  • Селенид цинка, ZnSe
  • Сульфид цинка, ZnS
  • Теллурид цинка, ZnTe

• 3-х компонентные полупроводники
  • CdZnTe, CZT
  • HgCdTe
  • HgZnTe
  • HgZnSe

Группа I-VII

• 2-х компонентные полупроводники
  • Хлорид меди, CuCl

Группа IV-VI

• 2-х компонентные полупроводники
  • Селенид свинца, PbSe
  • Сульфид свинца, PbS
  • Теллурид свинца, PbTe
  • Сульфид олова, SnS
  • Теллурид олова, SnTe

• 3-х компонентные полупроводники
  • PbSnTe
  • Tl₂SnTe₅
  • Tl₂GeTe₅

Группа V-VI

• 2-х компонентные полупроводники
  • Теллурид висмута, Bi₂Te₃

Группа II—V

• 2-х компонентные полупроводники
  • Фосфид кадмия, Cd₃P₂
  • Арсенид кадмия, Cd₃As₂
  • Антимонид кадмия, Cd₃Sb₂
  • Фосфид цинка, Zn₃P₂
  • Арсенид цинка, Zn₃As₂
  • Антимонид цинка, Zn₃Sb₂

Другие

• • CuInGaSe
  • Силицид платины, PtSi
  • Иодид висмута, BiI₃
  • Иодид ртути, HgI₂
  • Бромид таллия, TlBr

• • Иодид меди, PbI₂
  • Дисульфид молибдена, MoS₂
  • Селенид галлия, GaSe
  • Сульфид олова, SnS
  • Сульфид висмута, Bi₂S₃

• Разные оксиды
  • Диоксид титана, TiO₂
  • Оксид меди, Cu₂O
  • Оксид меди, CuO
  • Диоксид урана, UO₂
  • Триоксид урана, UO₃

Органические полупроводники

• Тетрацен
• Пентацен
• Акридон
• Перинон
• Флавантрон
• Индантрон
• Индол
• Alq3

Магнитные полупроводники

• Ферромагнетики
  • Оксид европия, EuO
  • Сульфид европия, EuS
  • CdCr₂Se₄
  • GaMnAs
  • Pb_1-xSn_xTe легированный Mn2+
  • GaAs легированный Mn2+
  • ZnO легированный Co2+
• Антиферромагнетики
  • Теллурид европия, EuTe
  • Селенид европия, EuSe
  • Оксид никеля, NiO

Просмотров: 15189

<<< Этиленвинилацетат

Антимонид галлия >>>