Химия - Принц-технология - Применения

28 февраля 2011


Оглавление:
1. Принц-технология
2. Применения

Метод довольно гибкий и может применяться ко многим системам. Например, Si/SiGe плёнки на подложке Si тоже могут выступать в качестве напряжённой системы. Здесь используется другой травитель: водный раствор NH₄OH, который травит кремний . Si/SiGe плёнки оказались удобными для изготовления массивов трубок с выступающими за край подложки краями . Используя плёнки на основе AlGaAs/GaAs/AlGaAs/InGaAs можно сформировать квантовую яму для электронов и получить двумерный электронный газ в слое GaAs, при сворачивании гетероструктуры в трубку. Здесь нужно модифицировать технологию и использовать направленное сворачивание напряжённых гетероструктур .

Исследования

Если поместить ДЭГ во внешнее однородное магнитное поле, то так как движение электронов поперёк плёнки ограничены соседними слоями с большей чем у GaAs шириной запрещённой зоны, то электроны движутся только под действием нормальной составляющей магнитного поля к поверхности плёнки. Таким образом возникает эффективное неоднородное магнитное поле, которое может привести к анизотропии магнетосопротивления , связанной с так называемым статическим скин-эффектом, возникающим благодаря неоднородности магнитного поля .

Просмотров: 3475

<<< Получение графена

Реакция Прато >>>