Химия - Сильное легирование

01 марта 2011


Оглавление:
1. Сильное легирование
2. Условие сильного легирования

Сильное легирование наблюдается при больших концентрациях примесей. Их взаимодействие ведёт к качественным изменениям свойств полупроводников. Это можно наблюдать в сильно легированных проводниках, содержащих примеси в столь больших концентрациях N_пр, что среднее расстояние между ними, пропорциональное N_пр, становится меньше среднего расстояния а, на котором находится от примеси захваченный ею электрон или дырка. В таких условиях носитель заряда не может локализоваться на каком-либо центре, так как он всё время находится на сравнимом расстоянии сразу от нескольких одинаковых примесей. Более того, воздействие примесей на движение электронов вообще мало, так как большое число носителей со знаком заряда, противоположным заряду примесных ионов, экранируют электрическое поле этих ионов. В результате все носители заряда, вводимые с этими примесями, оказываются свободными даже при самых низких температурах.

Просмотров: 2340

<<< Сверхрешётка