Химия - Верхний затвор (графен)
20 марта 2011
Фундаментальные понятия |
Зонная структура · Уравнение Дирака · Киральность · Гексагональная решётка · Волновая функция · Точка электронейтральности · Видимость графена · Фаза Берри |
Получение и технология |
Получение графена · Механическое отшелушивание · Химическое расщепление графита · Рост графеновых плёнок · Подвешенный графен · Верхний затвор |
Применения |
Графеновый полевой транзистор
Графеновые наноленты |
Транспортные свойства |
Электроны и дырки · Проводимость · Фононы· Парадокс Клейна · Линза Веселаго · 1/f · Дробовой шум
Случайный телеграфный сигнал · p — n переход · Ферми жидкость |
Магнитное поле |
Магнетосопротивление · Осцилляции Шубникова — деГааза · КЭХ · Спиновый квантовый эффект Холла · ДКЭХ · Осцилляции Вейса · Магнетоэкситоны · Сверхпроводимость · Слабая локализация · Эффект Ааронова — Бома |
Оптика графена |
Рамановское рассеяние света |
Известные учёные |
Андре Гейм · Константин Новосёлов |
|
См. также «Физический портал» |
Верхний затвор — затвор, который находится над образцом с противоположной от подложки стороны. Терминология сложилась на данный момент в технологии связанной с графеном для того, чтобы отличать от затвора, в качестве которого служит высоколегированая кремнивая подложка. Ситуация с названиями противоположна в графене и МОП-транзисторах, поскольку в последнем случае обычно отсутствует обратный затвор.
Графен находится на поверхности SiO2/Si, ничем не ограничен сверху, поэтому для создания верхнего затвора сначала наносят диэлектрический слой, а потом напыляют металл. В самой первой работе использовали в качестве диэлектрика SiO2. Выбор диэлектрика может влиять на подвижность носителей тока в графене благодаря зарядам или дефектам в его струкутуре. Среди других материалов использованных в качестве диэлектрика существуют: PMMA, Al2O3, HfO2.
В идеале можно обойтись без диэлектрика вообще и использовать подвешенный верхний затвор, который не влияет на подвижность.
Просмотров: 1905